近日，華磊光電公司的功率型45mil氮化鎵LED 芯片被評(píng)為2014年度湖南省產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新十大標(biāo)志性成果。該產(chǎn)品芯片制造采用了隱形切割技術(shù)和全方位反射膜技術(shù)。此兩項(xiàng)技術(shù)單項(xiàng)能夠提高芯片亮度5%—10%。同時(shí)，該產(chǎn)品采用華磊光電公司自行開(kāi)發(fā)的圖形襯底技術(shù)，可以提高光提取效率，最終增加芯片的亮度。
近日，華磊光電公司的功率型45mil氮化鎵LED 芯片被評(píng)為2014年度湖南省產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新十大標(biāo)志性成果。該產(chǎn)品芯片制造采用了隱形切割技術(shù)和全方位反射膜技術(shù)。此兩項(xiàng)技術(shù)單項(xiàng)能夠提高芯片亮度5%—10%。同時(shí)，該產(chǎn)品采用華磊光電公司自行開(kāi)發(fā)的圖形襯底技術(shù)，可以提高光提取效率，最終增加芯片的亮度。
